南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司對外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術開發(fā)服務，該系列大功率GaN微波毫米波太赫茲二極管器件產(chǎn)品具有耐功率、高速等優(yōu)勢，工作頻率涵蓋1GHz~300GHz，截止頻率達600GHz；可用于接收端的大功率限幅，提高抗干擾能力；可用于無線輸能或遠距離無線充電，可大幅提高整流功率和效率，實現(xiàn)裝置的小型化；用于太赫茲系統(tǒng)，可提高太赫茲固態(tài)源輸出功率，實現(xiàn)太赫茲源小型化，為6G通信等未來應用奠定基礎。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司可提供大功率氮化鎵微波毫米波/太赫茲產(chǎn)品開發(fā)服務。江蘇化合物半導體芯片工藝定制開發(fā)

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司公共技術服務平臺的聚焦離子束電鏡系統(tǒng)的高分辨率能力可以有效地幫助研發(fā)人員觀察微觀結構上的差異和變化，找出問題的原因。通過該系統(tǒng)，研發(fā)人員可以了解到材料表面的形貌特征以及試驗品內(nèi)部的剖面層結構。利用元素成分分析功能，研發(fā)人員可以準確地了解各種元素的分布情況，從而更好地理解材料的組成和性質。該系統(tǒng)具備的表面形貌、剖面層結構分析以及元素成分分析功能，為科研工作者提供了重要的數(shù)據(jù)支持。表面形貌、材料層次結構、元素成分的表征，可以有效幫助研發(fā)人員深入了解試驗品的情況，從而提出解決方案。吉林碳納米管器件及電路芯片加工南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司太赫茲測試設備可以達到500GHz的測試頻率。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司公共技術服務平臺的光刻工藝技術服務，可以實現(xiàn)50nm級別的芯片制造，通過精密的光掩模和照射技術，將所需圖案精確地轉移到晶圓上，為芯片的制造提供關鍵技術支持。金屬化工藝技術服務，能夠將金屬導線和電極精確地沉積在芯片表面，實現(xiàn)電路的連接和信號傳輸，為芯片的性能和穩(wěn)定性打下堅實基礎。高溫處理是芯片制造過程中不可或缺的環(huán)節(jié)，公司的平臺提供專業(yè)的高溫處理技術服務，可以在適當?shù)臏囟群蜁r間條件下，對芯片進行退火、氧化等處理，以提高其性能。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司公共技術服務平臺致力于為客戶提供芯片制造全流程工藝技術服務，研究院的專業(yè)團隊將竭誠提供技術支持和咨詢服務，為項目成功開展提供有力保障。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司對外提供InGaAs太赫茲零偏SBD技術開發(fā)服務，該芯片具有低勢壘高度與高截止頻率的特點，支持零偏壓毫米波、太赫茲混頻、檢波電路，可大大減小電路噪聲，提高電路動態(tài)范圍，且可以簡化系統(tǒng)架構。在太赫茲安檢和探測等場景中，零偏太赫茲檢波模塊是非常重要的器件。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司致力于為客戶提供先進的技術解決方案，其服務范圍較廣，涵蓋了整個技術開發(fā)周期，包括需求分析、方案設計、器件制造等多個方面。南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司對外提供大功率GaN微波/毫米波/太赫茲二極管技術開發(fā)服務。

南京中電芯谷高頻器件產(chǎn)業(yè)技術研究院有限公司對外提供異質異構集成技術服務，可進行以下先進集成材料制備和研發(fā)：1)單晶AlN、LiNbO3壓電薄膜異質晶圓，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射頻濾波器；2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3異質晶圓，用于低損耗光學平臺；3)AlGaAs-on-insulator，絕緣體上AlGaAs晶圓，用于光量子器件等新一代片上光源平臺；4)Miro-Cavity-SOI，內(nèi)嵌微腔的絕緣體上Si晶圓，用于環(huán)柵GAA，MEMS等器件平臺；5)SionSiC/Diamond，解決傳統(tǒng)Si襯底功率器件散熱低的瓶頸；6)GaNonSiC，解決自支撐GaN襯底高性能器件散熱低的瓶頸；7)支持特定襯底功能薄膜材料異質晶圓定制研發(fā)。芯谷高頻研究院提供定制化GaAs/InP SBD太赫茲集成電路芯片技術開發(fā)服務，該芯片電路工作頻段達到1.5THz。湖南光電器件及電路器件及電路芯片工藝技術服務

芯谷高頻研究院的熱物性測試儀產(chǎn)品能夠準確、高效地測試材料的熱物性，為研究人員提供數(shù)據(jù)支撐。江蘇化合物半導體芯片工藝定制開發(fā)

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