簡(jiǎn)單說(shuō)一下芯片CP/FT測(cè)試的基本概念理解：chipprobing基本原理是探針加信號(hào)激勵(lì)給pad，然后測(cè)試功能。a.測(cè)試對(duì)象，wafer芯片，還未封裝的。b.測(cè)試目的，篩選，然后決定是否封裝?？梢怨?jié)省封裝成本（MPW階段，不需要；fullmask量產(chǎn)階段，才有節(jié)省成本的意義）。c.需要保證：基本功能成功即可，主要是機(jī)臺(tái)測(cè)試成本高。高速信號(hào)不可能，較大支持100~400Mbps；高精度的也不行?？傊?，通常CP測(cè)試，只用于基本的連接測(cè)試和低速的數(shù)字電路測(cè)試。finaltesta.測(cè)試對(duì)象，封裝后的芯片；b.測(cè)試目的，篩選，然后決定芯片可用做產(chǎn)品賣給客戶。c.需要保證：spec指明的全部功能都要驗(yàn)證到。靜態(tài)測(cè)試主要是對(duì)芯片的電氣特性進(jìn)行測(cè)試，如電壓、電流、功耗等。珠海MCU芯片測(cè)試
WAT與FT比較WAT需要標(biāo)注出測(cè)試未通過(guò)的裸片（die），只需要封裝測(cè)試通過(guò)的die。FT是測(cè)試已經(jīng)封裝好的芯片（chip），不合格品檢出。WAT和FT很多項(xiàng)目是重復(fù)的，F(xiàn)T多一些功能性測(cè)試。WAT需要探針接觸測(cè)試點(diǎn)（pad）。測(cè)試的項(xiàng)目大體有：1.開(kāi)短路測(cè)試（ContinuityTest）2.漏電流測(cè)試（StressCurrentTest）3.數(shù)字引腳測(cè)試（輸入電流電壓、輸出電流電壓）4.交流測(cè)試（scantest）功能性測(cè)試。所以如果有什么大問(wèn)題，設(shè)計(jì)階段就解決了（或者比較慘的情況下放棄產(chǎn)品，重新設(shè)計(jì)）。如果生產(chǎn)過(guò)程有大的問(wèn)題，從圓片測(cè)試開(kāi)始也層層篩選掉了。所以剩下的芯片都是精英中的精英，一眼看過(guò)去都是完美的成品。接著主要由探針測(cè)試來(lái)檢驗(yàn)良率，具體是通過(guò)專業(yè)的探針上電，做DFT掃描鏈測(cè)試。這些掃描鏈?zhǔn)情_(kāi)始設(shè)計(jì)時(shí)就放好的，根據(jù)設(shè)計(jì)的配置，測(cè)試機(jī)簡(jiǎn)單的讀取一下電信號(hào)就之后這塊芯片是不是外強(qiáng)中干的次品。其實(shí)好的、成熟的產(chǎn)品，到這一步良品率已經(jīng)很高了（98%左右），所以更多時(shí)候抽檢一下看看這個(gè)批次沒(méi)出大簍子就行了。廣西附近芯片測(cè)試哪里好OPS與800+客戶達(dá)成長(zhǎng)期合作。
IC封裝主要是為了實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部和外部電路之間的連接和保護(hù)作用。而集成電路測(cè)試就是運(yùn)用各種測(cè)試方法，檢測(cè)芯片是否存在設(shè)計(jì)缺陷或者制造過(guò)程導(dǎo)致的物理缺陷。為了確保芯片能夠正常使用，在交付給整機(jī)廠商前必須要經(jīng)過(guò)的Z后兩道過(guò)程：封裝與測(cè)試。封測(cè)是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈里必不可少的環(huán)節(jié)，其中封和測(cè)是兩個(gè)概念。從全球封測(cè)行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模來(lái)看，其中封裝和測(cè)試占比分別為80%和20%，多年來(lái)占比保持穩(wěn)定。一、發(fā)展歷程封裝大致經(jīng)過(guò)了如下發(fā)展歷程：1、結(jié)構(gòu)方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA－>CSP－>WLP和SiP等2、材料方面：金屬、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；3、引腳形狀：長(zhǎng)引線直插－>短引線或無(wú)引線貼裝－>球狀凸點(diǎn)4、裝配方式：通孔插裝－>表面組裝－>直接安裝5、封裝不斷改進(jìn)的驅(qū)動(dòng)力：尺寸變小、芯片種類增加,I/O增加6、難點(diǎn)：工藝越來(lái)越復(fù)雜、縮小體積的同時(shí)需要兼顧散熱、導(dǎo)電性能等
MCU(MicroControlUnit)芯片稱為微控制單元,又稱作單片機(jī),是許多控制電路中的重要組成部分.MCU芯片的設(shè)計(jì)和制造的發(fā)展要依賴于芯片的測(cè)試,隨著芯片可測(cè)試管腳數(shù)量的增多,芯片的功能也隨之增多,芯片測(cè)試的復(fù)雜度和測(cè)試時(shí)間也隨之增加.芯片測(cè)試系統(tǒng)從1965年至今已經(jīng)歷了四個(gè)階段,目前的芯片測(cè)試系統(tǒng)無(wú)論在測(cè)試速度還是在可測(cè)試管腳數(shù)量方面都比以前有了很大提升,但是任何一個(gè)芯片測(cè)試系統(tǒng)也無(wú)法完全滿足由于不斷更新的芯片而引起的對(duì)測(cè)試任務(wù)不斷更新的要求.設(shè)計(jì)安全性高,測(cè)試效率高,系統(tǒng)升級(jí)成本低的芯片測(cè)試系統(tǒng)是發(fā)展的方向。一顆芯片要做到終端產(chǎn)品上，一般要經(jīng)過(guò)芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、晶圓測(cè)試、封裝、成品測(cè)試、板級(jí)封裝等環(huán)節(jié)。
怎么樣進(jìn)行芯片測(cè)試?這需要專業(yè)的ATE也即automatictestequipment.以finaltest為例,先根據(jù)芯片的類型,比如automotive,MixedSignal,memory等不同類型,選擇適合的ATE機(jī)臺(tái).在此基礎(chǔ)上,根據(jù)芯片的測(cè)試需求,(可能有一個(gè)叫testspecification的文檔,或者干脆讓測(cè)試工程師根據(jù)datasheet來(lái)設(shè)計(jì)testspec),做一個(gè)完整的testplan.在此基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)一個(gè)外圍電路loadboard,一般我們稱之為DIBorPIBorHIB,以連接ATE機(jī)臺(tái)的instrument和芯片本身.同時(shí),需要進(jìn)行test程序開(kāi)發(fā),根據(jù)每一個(gè)測(cè)試項(xiàng),進(jìn)行編程,操控instrument連接到芯片的引腳,給予特定的激勵(lì)條件,然后去捕捉芯片引腳的反應(yīng),例如給一個(gè)電信號(hào),可以是特定的電流,電壓,或者是一個(gè)電壓波形,然后捕捉其反應(yīng).根據(jù)結(jié)果,判定這一個(gè)測(cè)試項(xiàng)是pass或者fail.在一系列的測(cè)試項(xiàng)結(jié)束以后,芯片是好還是不好,就有結(jié)果了.好的芯片會(huì)放到特定的地方,不好的根據(jù)fail的測(cè)試類型分別放到不同的地方。在芯片出現(xiàn)故障時(shí)，需要對(duì)芯片進(jìn)行測(cè)試，以確定故障原因。深圳什么是芯片測(cè)試過(guò)程
芯片測(cè)試還包括溫度測(cè)試、封裝測(cè)試、可靠性測(cè)試等。珠海MCU芯片測(cè)試
隨著芯片制造技術(shù)的進(jìn)步，自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）應(yīng)運(yùn)而生。ATE通過(guò)自動(dòng)化測(cè)試過(guò)程，提高了測(cè)試的效率和準(zhǔn)確性。它們可以執(zhí)行各種測(cè)試，包括功能測(cè)試、時(shí)序測(cè)試和功耗測(cè)試，以確保芯片的各個(gè)方面都符合規(guī)格。為了避免對(duì)芯片性能的干擾，非侵入性測(cè)試技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。這種技術(shù)允許在不破壞芯片結(jié)構(gòu)的情況下進(jìn)行測(cè)試，包括觀察和測(cè)量信號(hào)、功耗和時(shí)序等。非侵入性測(cè)試技術(shù)的使用提高了測(cè)試的靈活性和可行性。嵌入式自測(cè)技術(shù)是將測(cè)試電路嵌入到芯片本身的一種方法。這些嵌入的測(cè)試電路能夠在芯片工作時(shí)自動(dòng)進(jìn)行測(cè)試，從而實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)和反饋。這種技術(shù)提高了對(duì)芯片性能的實(shí)時(shí)了解，有助于提前發(fā)現(xiàn)和解決問(wèn)題。珠海MCU芯片測(cè)試